天岳先进：技术筑壁垒，多赛道破局，碳化硅龙头开启二次跃升周期

在第三代半导体产业加速迭代的浪潮中，碳化硅(SiC)衬底作为新能源、AI、光学等领域技术变革的核心支撑材料，正迎来需求爆发期。全球碳化硅衬底龙头天岳先进(688234.SH/02631.HK)近期战略动作密集落地：7 月与舜宇奥来达成合作开拓光学领域蓝海，8 月携手东芝电子元件加固功率半导体供应链，同月 20 日成功登陆港股完成 “A+H” 布局，叠加此前已实现的 8 英寸衬底量产与 12 英寸技术突破，公司正以 “技术领先 + 全球化” 双轮驱动，为长期成长构建起 “技术壁垒 + 供应链优势 + 资本平台” 的三位一体竞争力，也为碳化硅行业打开高质量发展新空间。

近日，天岳先进披露2025年半年报，报告期内，公司实现营业收入7.94亿元，归属于上市公司股东的净利润1088.02万元。上半年，天岳先进为持续加大碳化硅衬底材料在下游应用的渗透，提高产品的市场占有率，衬底销售价格同比有所下降;同时公司加大对大尺寸衬底研发投入，研发费用同比增加34.94%，为公司的长期发展奠定了坚实基础。

技术壁垒，公司全球竞争力凸显

技术创新是天岳先进的立足行业的核心壁垒。公司在业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8 英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。同时，也是率先使用液相法生产P 型碳化硅衬底的公司之一。这一核心技术不仅显著降低晶体缺陷率、提升产品良率，更为高性能芯片制造奠定了基础，成为其在全球市场竞争中的“杀手锏”。

从技术迭代趋势看，碳化硅晶圆 “大型化” 已成为行业共识，而天岳先进已抢占先发优势。根据Yole数据，8英寸衬底市场占比从2023年的1.97%飙升至2024年的14.77%，预计2028年将达到49.66%，接近半壁江山。作为全球少数能够批量出货8 英寸碳化硅衬底的企业，天岳先进的产品质量与供应能已获得头部客户认可，正持续推动下游厂商向8 英寸转型。

更值得关注的是，公司已向更高维度的 12 英寸技术发起冲击。2025 年 3 月 Semicon China 展会上，天岳先进携12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底集体亮相，标志着其正式跻身国际碳化硅大尺寸技术竞技场。随着行业逐步迈入 “12 英寸新时代”，公司凭借超大尺寸技术储备，有望在未来的市场竞争中进一步扩大份额。

天岳先进技术领先的背后，是持续高强度的研发投入与专利布局。2025 年上半年，公司研发费用达 7584.67 万元，同比增幅 34.94%，重点投向大尺寸衬底技术攻关及 AR 眼镜等新兴领域;截至 2025 年 6 月末，公司累计获得发明专利授权 197 项(含境外 14 项)、实用新型专利授权 305 项，根据 Yole 旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。2025 年 6 月，公司更是斩获 “第二十五届中国专利银奖” 与日本《电子器件产业新闻》“半导体电子材料” 类金奖 —— 后者是该奖项设立 31 年来首次授予中国企业，也是首次将最高荣誉给予碳化硅衬底技术，标志着我国在半导体关键基础材料领域实现历史性突破。

深度布局，功率电子领域加速渗透

依托技术优势，天岳先进正推动碳化硅在功率电子领域的持续渗透，长期来看，碳化硅替代硅基器件趋势明确，其中新能源汽车与电网是两大核心增长极。

在新能源汽车领域，800V 高压平台的普及正成为碳化硅需求爆发的核心催化剂。为解决充电慢、续航短的用户痛点，800V 纯电动车型加速落地，逆变器耐压等级从 650V 提升至 1200V 以上，而 800V 系统的主逆变器与车载充电机均需大量采用碳化硅器件。据行业预测，预计2024-2030年电动车领域碳化硅应用复合年增长率将达20%。华泰证券更是预计2025年全球新能源车消耗SiC衬底数量将达199.6万片/年。作为行业龙头，天岳先进已与全球汽车电子厂商英飞凌、博世等国际巨头建立了长期的战略合作，深度绑定下游核心用户，未来将充分受益于新能源汽车高压化浪潮。

充电桩领域的需求升级则与新能源汽车形成 “共振”。800V 车型普及倒逼充电桩向高功率、超快充方向迭代，而碳化硅器件正是实现这一升级的关键。数据显示，碳化硅充电桩输出功率较硅基产品提升 30%，损耗减少 50%，从长期成本与效能看，碳化硅已成为超充技术的核心底座。尽管目前我国 240KW 以上公共充电桩占比仅 6.7%，但 2024 年底至 2025 年 3 月全国新增公共充电桩同比增长 75.3%，超充市场的巨大缺口正为天岳先进提供广阔增量空间。

电网领域则是公司前瞻性布局的另一重要战场。碳化硅器件在耐高压、低损耗方面的优势，使其成为电网升级的理想选择：在配电网环节(1200-6500V中低压SiCMOSFET器件)与输电环节(高压大电流SiC器件)，碳化硅可替代性能逼近极限的硅基 IGBT，一只碳化硅器件即可替代四只硅基器件，大幅减少系统体积与能耗。尽管目前碳化硅在电网领域渗透率较低，但在政策支持与新能源并网刚需推动下，未来有望在高压输电、智能配网等环节加速渗透。中国电机工程学会电力系统电力电子器件专委会主任委员邱宇峰表示，“作为成熟的第三代半导体材料，碳化硅取代现行的硅基是必然趋势。碳化硅产业会有两波应用浪潮，第一波在电动汽车领域，第二波在电网领域。可以肯定的是，碳化硅在电网上的需求将堪比新能源汽车。”2024 年 11 月，天岳先进成功交付高质量低阻 P 型碳化硅衬底，标志着其向特高压功率器件国产化迈出关键一步，为抢占电网市场先机奠定基础。

前瞻布局，AI领域应用不断突破

在功率电子领域发挥优势的同时，天岳先进正布局碳化硅在 AI 数据中心、AR 眼镜等新兴领域的应用，为长期增长注入新动能。

AI 数据中心的 “算力爆发” 正催生对高效能半导体材料的需求。与传统数据中心相比，AI 数据中心面临功率密度攀升带来的供电、散热、布局三重挑战，而高频小型化、低损耗、快响应的碳化硅器件恰好能解决这些痛点。目前，碳化硅衬底已被用于 AI 数据中心电源供应单元的交直流转换阶段，有效降低能耗、优化散热并提升服务器功率密度。英伟达等行业巨头已经切换至800V数据中心电力供应架构，而碳化硅和氮化镓作为核心，将持续受益。据了解，天岳先进的产品已进入英伟达等行业巨头的数据中心电源系统，成为 AI 算力基础设施的重要组成部分，随着全球 AI 算力需求持续增长，这一业务将成为公司新的业绩增长点。

AR 眼镜领域则是碳化硅在光学应用的全新突破。碳化硅光波导片的成本是决定 AR 眼镜规模化应用的关键，而大尺寸衬底是降低成本的核心路径。天岳先进2024年年报指出，据测算，100万副眼镜需要30万片8英寸碳化硅晶圆，而12英寸的利用率将更高，晶圆无效区域可进一步压缩，有效提升SiC镜片的出片率，从而显著降低单位成本。目前，天岳先进已与全球头部光学厂商建立合作并获得多个订单，实现光学领域碳化硅衬底销售;2025 年 7 月，公司与舜宇奥来达成战略合作，整合材料与光学技术优势，加速开拓 AR 眼镜这一蓝海市场。

资本实力，卡位产业新机遇

2025 年 8 月 20 日，天岳先进成功在港股上市，这一 “里程碑” 事件不仅为公司补充了国际化发展的资金储备，更将加速其海外业务布局与全球供应链整合。此前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中过半企业建立合作，2024 年在全球导电型碳化硅衬底市场占有率达 22.8%，排名全球第二;港股上市后，公司有望进一步提升全球市场份额，巩固龙头地位。

从短期看，天岳先进的技术实力和有效产能，以及高品质为新能源汽车与充电桩领域的需求放量提供了支撑;从中长期看，电网领域的渗透、AI 数据中心与 AR 眼镜等新兴赛道的突破，将持续打开公司成长天花板。叠加技术壁垒的持续强化与全球化布局的加速推进，正推动公司迈入新一轮成长周期。而天岳先进作为国内唯一“A+H”双平台架构的碳化硅衬底企业，资本实力进一步夯实，为其在长期竞争中构建差异化优势，更奠定了全新的发展格局。

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